اثر میدان مغناطیسی بر انتقال حرارت جابجایی آزاد نانوسیال آب-مس در محفظه T شكل مورب

چکیده مقاله :
در این مقاله انتقال حرارت جابجایی آزاد نانوسیال در یك محفظه T شكل مورب پر شده از نانوسیال آب و مس تحت تاثیر میدان مغناطیسی ثابت به روش عددی بررسی شده است. دیوار بالائی محفظه در دمای سرد و سایر دیواره ها عایق می باشند. یك منبع حرارتی با دمای ثابت در كف محفظه تعبیه شده است. معادلات حاكم به روش حجم كنترل جبری شده و توسط الگوریتم سیمپل به طور همزمان حل می گردد. عدد هارتمن از 0 تا 80 تغییر داده شده و محفظه تحت زوایای 0 تا 90 درجه چرخیده است. نتایج نشان می دهند، اثر میدان مغناطیسی بر نوسلت متوسط در ریلی های بالا بیشتر است. در Ra=105، افزایش نانوسیال، تا عدد هارتمن 20، سبب كاهش نوسلت متوسط می شود و در هارتمن 40 به بالا، سبب افزایش نوسلت متوسط می شود. در Ra=106، افزایش نانوسیال، تا عدد هارتمن 20، سبب افزایش نوسلت متوسط می شود و در هارتمن 40 به بالا، سبب كاهش نوسلت متوسط می شود. همچنین نتایج نشان می دهد، بیشترین انتقال حرارت در اعداد ریلی 105 و 106، در زاویه 67.5 درجه رخ می دهد و كمترین انتقال حرارت در اعداد ریلی 105 و 106، به ترتیب در زاویه صفر و 22.5 درجه رخ می دهد.

توضیحات تکمیلی :

سال انتشار:1393

تعداد صفحات : 11 صفحه


نویسندگان/توضیحات : سال انتشار1393 / كسايي پور عباس, قاسمي بهزاد*, رييسي افراسياب
تاریخ ارسال : 1397/12/17
تعداد بازدید : 294
کلمات کلیدی : میدان مغناطیسی محفظه Tشکل نانوسیال کسر حجمی نانوذرات جابجایی آزاد
تعداد صفحات : 11
نظرات کاربران در مورد این آگهی
در حال حاضر هیچ نظری ثبت نگردیده است .
ارسال پیام

مقالات مرتبط